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型号 IPD12CN10N G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD12CN10N G PDF
代理商 IPD12CN10N G
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 67A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12.4 毫欧 @ 67A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4320pF @ 50V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000096476
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